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SK하이닉스, 세계 최고속 모바일용 D램 ‘LPDDR5T’ 출시

안정문 기자 ㅣ stablegate@chosun.com
등록 2023.01.25 10:06

최고속 LPDDR5X 발표 2개월 만에 속도 13% 빨라진 신제품 개발 성공… 초고속ž초저전력 동시 구현
HKMG 공정 적용해 성능 극대화, "계속해서 초격차 기술개발에 박차, IT 업계 게임 체인저 될 것"

SK하이닉스가 현존 최고속 모바일용 D램 ‘LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)’를 개발해 고객사에 샘플을 제공했다고 25일 밝혔다./SK하이닉스 제공

SK하이닉스가 현존 최고속 모바일용 D램 ‘LPDDR5T(Low Power Double Data Rate 5 Turbo)’를 개발해 고객사에 샘플을 제공했다고 25일 밝혔다.

LPDDR5T는 SK하이닉스가 지난해 11월 공개한 모바일 D램 LPDDR5X의 성능을 업그레이드한 제품이다.

SK하이닉스는 이번 신제품의 동작속도를 LPDDR5X 대비 13% 빨라진 9.6Gbps(초당 9.6 기가비트)까지 높으며 최고속도를 구현했다는 점을 부각하기 위해 제품명에 ‘터보(Turbo)’를 붙였다고 설명했다.

LPDDR5T는 속도는 물론 초저전력 특성도 동시에 구현해낸 제품으로 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준인 1.01~1.12V(볼트)에서 작동한다.

SK하이닉스는 “초당 8.5Gb 속도의 LPDDR5X를 내놓은 지 불과 두 달 만에 기술한계를 다시 한번 돌파했다”며 “앞으로 이번 신제품을 기반으로 고객이 필요로 하는 다양한 용량의 제품을 공급해 모바일용 D램 시장의 주도권을 더욱 견고히 할 것”이라고 강조했다.

최근 SK하이닉스는 LPDDR5T 단품 칩들을 결합해 16GB(기가바이트) 용량의 패키지 제품으로 만들어 샘플을 고객에게 제공했다. 패키지 제품의 데이터 처리 속도는 초당 77GB로, 이는 FHD(Full-HD)급 영화 15편을 1초에 처리하는 수준이다.

SK하이닉스는 10나노급 4세대(1a) 미세공정 기반으로 올해 하반기부터 이 제품 양산에 들어간다는 계획을 세웠다.

SK하이닉스는 LPDDR5X에 이어 이번 제품에도 ‘HKMG(High-K Metal Gate)’ 공정을 적용했다.

SK하이닉스는 이번 LPDDR5T의 활용 범위가 스마트폰뿐 아니라 인공지능(AI), 머신러닝(Machine Learning), 증강/가상현실(AR/VR)까지 확대될 것으로 기대하고 있다.

류성수 SK하이닉스 DRAM상품기획담당(부사장)은 “이번 신제품 개발을 통해 초고속을 요구하는 고객들의 니즈(Needs)를 충족시키게 됐다”며 “앞으로도 차세대 반도체 시장을 선도할 초격차 기술 개발에 힘써 IT 세상의 게임 체인저가 될 것”이라고 말했다.


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